“图像传感器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9164503个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图像传感器-CN201510129359.3在审
发明人：小山威 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器，其具有抑制在Si衬底的深处位置产生的载流子的横扩散所引起的对相邻的光电二极管的影响(像素间串扰)的半导体感光元件。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201410264248.9在审
发明人：穆尼布·沃贝尔 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器，该图像传感器包含：(a)一光学管，其包含一核心及一包覆层，及(b)一对光敏元件，其包含一中央光敏元件及一周边光敏元件，其中该中央光敏元件是可操作地耦合至该核心且该周边光敏元件是可操作地耦合至该包覆层该图像传感器可进一步包含在该光学管上方的一透镜结构或一光学耦合器，其中该透镜结构或该光学耦合器或该光学耦合器是可操作地耦合至该光学管。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201610096919.4在审
发明人：王虎岩;曲涛 -专利权人：威海华菱光电股份有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括：基座，基座具有容纳腔，容纳腔被分隔为至少一个第一容纳区和至少一个第二容纳区；至少一个用于读取原稿的光图像的光图像读取部，每个第一容纳区内对应设置有一个光图像读取部；至少一个用于读取原稿的磁图像的磁图像读取部，每个第二容纳区内对应设置有一个磁图像读取部；承载板，承载板盖设在基座上以使容纳腔密封，第一容纳区和第二容纳区在承载板上的投影并列。本发明解决了现有技术中的图像传感器功能单一的问题。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201810188323.6在审
发明人：程亚杰;王三坡;占琼;张玉静;黄攀 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括基底，形成在所述基底上的金属栅格，以及，形成在所述金属栅格上的间隔阻障层。本发明通过采用能够反射光线的间隔阻障层反射光线，以实现降低图像传感器中临近像素单元之间的光串扰的问题，从而提高了图像传感器的成像质量。
图像传感器反射光线金属栅格阻障层基底像素单元光串扰成像

[发明专利]图像传感器-CN201810101279.0在审
发明人：村尾文秀;志田光司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器。在相关的图像传感器中存在的问题是图像信号的SN比变得不稳定。根据一个示例性实施例，图像传感器包括第一芯片和第二芯片，第二芯片被配置为通过微凸块将信号传输给第一芯片并且从第一芯片接收信号，第一芯片堆叠在第二芯片的顶部上，其中在第一芯片上，像素电路布置成格子结构，像素电路中的每个像素电路包括光电转换元件、转移晶体管、重置晶体管和放大晶体管，并且在第二芯片上，形成了模拟数字转换器电路的至少输入级电路，输入级电路被配置为将从像素电路输出的暗电平信号和成像信号转换成数字值，并且输入级电路的数目是像素电路的行数的至少两倍
芯片像素电路图像传感器输入级电路模拟数字转换器电路光电转换元件暗电平信号放大晶体管重置晶体管转移晶体管成像信号格子结构图像信号芯片堆叠信号传输微凸块配置行数输出转换

[发明专利]图像传感器-CN201810073539.8在审
发明人：金汉锡;朴炳俊;罗承柱;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面；布置在基板的正面上的互连；布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在基板中的像素分离结构，像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个
像素分离结构基板图像传感器网格结构导电层网格点背面绝缘层二维阵列结构背面接触垂直地电连接俯视图滤色器微透镜互连

[发明专利]图像传感器-CN201810275410.5在审
发明人：尹浈斌;沈殷燮;李景镐;崔成浩;朴正勋;林政昱;郑闵至 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。
光电转换元件图像传感器像素晶体管微透镜浮置扩散区域第二区域第一区域像素区域衬底配置

[发明专利]图像传感器-CN201810325115.6在审
发明人：石井胜;李贵德;李泰渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。
衬底电荷存储节点光电转换元件浮动扩散区半导体掺杂区势垒第一导电类型图像传感器导电类型电荷漏区光电荷可存储耦合到

[发明专利]图像传感器-CN201710809817.7在审
发明人：龙海凤;李天慧 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括多个像素单元，所述像素单元包括衬底；感光结构，所述感光结构位于所述衬底内；隔离结构，所述隔离结构位于相邻所述像素单元的衬底之间；阻挡层，所述阻挡层位于所述隔离结构和所述衬底之间。通过位于所述隔离结构和所述衬底之间的阻挡层，实现对相邻像素单元之间光信号串扰的抑制，从而达到抑制串扰、暗电流，提高图像传感器性能的目的。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201811372912.6在审
发明人：金载宏;林承贤;赵韩鞠;李东勋;咸锡宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H04N5/365 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：多个像素，每个像素被配置为产生像素信号；多个模数转换器，包括第一组模数转换器和第二组模数转换器，第一组模数转换器包括第一模数转换器和第二模数转换器，第二组模数转换器包括第三模数转换器和第四模数转换器，每个模数转换器被配置为将像素信号转换为数字信号；阻断电路，包括连接到第一模数转换器的第一缓冲器、连接到第二模数转换器的第二缓冲器、连接到第三模数转换器的第三缓冲器和连接到第四模数转换器的第四缓冲器，其中，第一缓冲器、第二缓冲器、第三缓冲器和第四缓冲器中的每个缓冲器包括电流源和连接到该电流源的晶体管。
缓冲器转换器模数转换器组模图像传感器第二模第一模电流源像素像素信号转换数字信号像素信号阻断电路晶体管配置

[发明专利]图像传感器-CN201811446178.3在审
发明人：戚务昌;曲涛;段平;王兆敏 -专利权人：威海华菱光电股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括：框体，框体具有安装腔；磁图像读取部，磁图像读取部用于读取原稿上的磁信息，磁图像读取部设置在安装腔内，磁图像读取部包括永磁体和磁场强化结构，其中，磁场强化结构设置在永磁体的底部本发明解决了现有技术中的图像传感器在对永磁体产生磁场进行分布均化的同时会弱化磁场的强度，而导致检图像传感器检测出的原稿上的磁信息的清晰度变差，进而增加了后续对图像处理的难度的问题。
图像传感器图像读取部永磁体磁场磁场强化安装腔磁信息原稿框体读取结构设置图像处理变差均化弱化检测

[发明专利]图像传感器-CN201810503286.3在审
发明人：金昶和;朴世廷;金政勋;朴商秀;边炅来;李范硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层
绝缘层第一电极滤色器图像传感器分隔结构绝缘图案开口半导体基板材料形成侧表面光电层

[发明专利]图像传感器-CN201810661733.8在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间
第一电极电极绝缘层凹槽区滤色器有机光电二极管图像传感器第二电极衬底有机光电转换层角度延伸侧表面夹置接缝填充申请

[发明专利]图像传感器-CN201410265340.7在审
发明人：穆尼布·沃贝尔 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器，该图像传感器包含：(a)一光学管，其包含一核心及一包覆层，及(b)一对光敏元件，其包含一中央光敏元件及一周边光敏元件，其中该中央光敏元件是可操作地耦合至该核心且该周边光敏元件是可操作地耦合至该包覆层该图像传感器可进一步包含在该光学管上方的一透镜结构或一光学耦合器，其中该透镜结构或该光学耦合器或该光学耦合器是可操作地耦合至该光学管。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201210030437.0在审
发明人：饶金华;张克云;吴小利 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：根据本发明的图像传感器包括：光感元件、传输管、重置晶体管、以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联
图像传感器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条